koala
Уже освоился
Поискал в И-нете и нашел, что действительно используется лазер с длиной волны 193нм. А для уменьшения дифракции используются разные хитрые методы.
"На Intel Developer Forum 2003 в Сан-Хосе, был посвящен целый доклад разработкам в Intel еще более тонких технологических процессов производства. При переходе на все более тонкие нормы производства микросхем сложность и стоимость масок для фотолитографии возрастает значительно быстрее, чем удельное число транзисторов. Например, для 90-нанометровой маски число пикселей экспозиции (маски рисуются электронным лучом) равно одному триллиону, а уровень дефектности маски не должен превышать размера, эквивалентного размеру баскетбольного мяча на площади штата Калифорния! Общее число слоев, создаваемых при помощи масок для 90-нанометровых микропроцессоров доходит до 25, что описывается файлом размером около 200 Гбайт, и стоимость разработки набора таких масок выражается девятизначными цифрами. Для "наноразмерных" масок применяется ряд специальных приемов: выступы на углах (чтобы минимизировать влияние угловой дифракции света), трехмерные структуры (фазосдвигающие маски, см. рис.) и пр. В масках для 65-нанометрового техпроцесса будет использоваться ультрафиолет с длиной волны 193 нм.
Маски для более тонких техпроцессов 45 нм и 32 нм также разрабатываются в корпорации. Они предназначены для мощного и глубокого ультрафиолетового излучения (длина волны 13 нм) и отличаются от традиционных масок тем, что работают на отражение, а не на просвет. Отражающее покрытие для такой маски cоcтоит из нескольких перемежающихся слоев кремния и молибдена толщиной по несколько нанометров на пластине кварца, а толщина специального фоторезиста на поверхности силиконовой пластины при такой литографии составляет всего несколько ангстрем. На прошедшем IDF корпорация впервые в мире продемонстрировала набор таких масок для создания 32-нанометровых кремниевых структур при помощи жесткого ультрафиолетового излучения.
На 2007 год намечено начало производства микросхем по техпроцессу 45 нм (длина канала транзистора составит около 30 нм), а в 2009 году появятся прототипы микросхем, изготовленных по технологии 32 нм с длиной канала всего 15 нм."
Самое последнее изобретение в этой области – размещение между последней линзой и кремниевой пластиной жидкости (в настоящее время – воды), которая дополнительно повышает разрешающую способность.
"При прохождении света через прозрачный материал его скорость уменьшается пропорционально коэффициенту преломления этого материала. Фактически пропускание света через материал с высоким коэффициентом преломления создает эффект уменьшения длины волны и обеспечивает более точную фокусировку. Разрешающая способность иммерсионной литографии ограничивается минимальным показателем преломления таких компонентов, как последняя линза, жидкость и светочувствительный материал. В экспериментах на аппарате IBM NEMO линза и жидкость имели показатель преломления около 1,6, а фоторезист – 1,7. Будущие исследования будут направлены на разработку линз, жидкостей и светочувствительных материалов с показателем преломления на уровне 1,9, что позволит создавать методом экспонирования элементы еще меньшего размера.
Рекордно малый шаблон, состоящий из хорошо различимых и равномерно расположенных 29,9-нанометровых линий и промежутков, был создан на литографическом аппарате, спроектированном и построенном в исследовательском центре IBM Almaden Research Center, с использованием новых материалов, разработанных партнерской компанией JSR Micro (Саннивейл, штат Калифорния). Первые технические подробности были представлены 20 февраля 2006 г. на конференции SPIE Microlithography в Сан-Хосе, штат Калифорния."
